Mémoire flash, SPI Porte séparée, 4 Mo Microchip, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 264-8824P
- Référence fabricant:
- SST25PF040CT-40I/SN
- Marque:
- Microchip
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-8824P
- Référence fabricant:
- SST25PF040CT-40I/SN
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 4Mo | |
| Type d'interface | SPI | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 40MHz | |
| Type de cellule | Porte séparée | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.3V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Type de timing | Synchrone | |
| Température minimum de fonctionnemen | -45°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | ISO/TS 16949, RoHS, JEDEC | |
| Longueur | 6mm | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Courant d'alimentation | 12mA | |
| Série | SST25PF040C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 4Mo | ||
Type d'interface SPI | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de montage En surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 40MHz | ||
Type de cellule Porte séparée | ||
Tension d'alimentation minimum 2.3V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Type de timing Synchrone | ||
Température minimum de fonctionnemen -45°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations ISO/TS 16949, RoHS, JEDEC | ||
Longueur 6mm | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Courant d'alimentation 12mA | ||
Série SST25PF040C | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
La mémoire Flash série de Microchip est dotée d'une interface à quatre fils compatible SPI qui permet un boîtier à faible nombre de broches qui occupe moins d'espace sur la carte et, en fin de compte, réduit le coût total du système. Ce dispositif est amélioré avec une tension d'utilisation étendue de 2,3 - 3,6 V. Cette mémoire Flash série est fabriquée avec la technologie propriétaire CMOS Super Flash hautes performances. La conception de cellule à porte fendue et l'injecteur de tunnel à oxyde épais permettent une meilleure fiabilité et une meilleure facilité de fabrication par rapport aux approches alternatives. Il améliore considérablement les performances et la fiabilité, tout en réduisant la consommation.
Architecture d'interface série - Compatible SPI : mode 0 et mode 3
Prise en charge d'E/S à double entrée/sortie
Fréquence d'horloge haute vitesse jusqu'à 40 MHz
Endurance : 100 000 cycles (typique)
Plus de 20 ans de conservation des données
Protection en écriture logicielle - protection en écriture par bloc
Plage de températures industrielles de -40 à +85 °C
Conforme à la directive RoHS