Mémoire flash, 4Gbit, 256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits, Parallèle, BGA, 63 broches
- Code commande RS:
- 809-6977
- Référence fabricant:
- S34ML04G100BHI000
- Marque:
- Spansion
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
8,94 €
HT
10,72 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,47 € | 8,94 € |
| 10 - 48 | 4,075 € | 8,15 € |
| 50 - 98 | 3,97 € | 7,94 € |
| 100 - 498 | 3,565 € | 7,13 € |
| 500 + | 3,365 € | 6,73 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 809-6977
- Référence fabricant:
- S34ML04G100BHI000
- Marque:
- Spansion
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Spansion | |
| Taille mémoire | 4Gbit | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de boîtier | BGA | |
| Nombre de broches | 63 | |
| Configuration | 256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de cellule | NAND | |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V | |
| Organisation des blocs | Symétrique | |
| Longueur | 11mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 9mm | |
| Dimensions | 11 x 9 x 1mm | |
| Nombre de mots | 256M, 512M | |
| Nombre de bits par mot | 8 bit, 16 bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 20ns | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Nombres de groupes | 2 | |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Spansion | ||
Taille mémoire 4Gbit | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de boîtier BGA | ||
Nombre de broches 63 | ||
Configuration 256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits | ||
Type de montage CMS | ||
Type de cellule NAND | ||
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum 2,7 V | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 3,6 V | ||
Organisation des blocs Symétrique | ||
Longueur 11mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 9mm | ||
Dimensions 11 x 9 x 1mm | ||
Nombre de mots 256M, 512M | ||
Nombre de bits par mot 8 bit, 16 bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 20ns | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Nombres de groupes 2 | ||
Température d'utilisation maximum +85 °C | ||
- Pays d'origine :
- TH
Mémoire Flash NAND SLC, Cypress Semiconductor
Flash NAND haute fiabilité 3 V (ML-1) pour intégration
Gamme de formats d'organisation de la mémoire Flash Nand ML :
128 M x 8 bits 64 M x 16 bits - S34ML01G100BHI000, S34ML01G100TFI000
128 M x 16 bits, 256 M x 8 bits - S34ML02G100BHI000, S34ML02G100TFI000
256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits - S34ML04G100BHI000, S34ML04G100TFI000
Interface Flash NAND ouverte (ONFI) 1.0
Gamme de formats d'organisation de la mémoire Flash Nand ML :
128 M x 8 bits 64 M x 16 bits - S34ML01G100BHI000, S34ML01G100TFI000
128 M x 16 bits, 256 M x 8 bits - S34ML02G100BHI000, S34ML02G100TFI000
256 M x 16 bits, 512 M x 8 bits - S34ML04G100BHI000, S34ML04G100TFI000
Interface Flash NAND ouverte (ONFI) 1.0
Mémoire Flash NAND