Mémoire FRAM, FM16W08-SG, 64Kbit, 8K x 8 bits, Parallèle, SOIC, 28 broches, 5,5 V
- Code commande RS:
- 124-2979
- Référence fabricant:
- FM16W08-SG
- Marque:
- Cypress Semiconductor
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 124-2979
- Référence fabricant:
- FM16W08-SG
- Marque:
- Cypress Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Cypress Semiconductor | |
| Taille mémoire | 64Kbit | |
| Configuration | 8K x 8 bits | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 70ns | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOIC | |
| Nombre de broches | 28 | |
| Dimensions | 18.11 x 7.62 x 2.37mm | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V | |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C | |
| Nombre de mots | 8K | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Nombre de bits par mot | 8bit | |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Cypress Semiconductor | ||
Taille mémoire 64Kbit | ||
Configuration 8K x 8 bits | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 70ns | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOIC | ||
Nombre de broches 28 | ||
Dimensions 18.11 x 7.62 x 2.37mm | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 5,5 V | ||
Température d'utilisation maximum +85 °C | ||
Nombre de mots 8K | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Nombre de bits par mot 8bit | ||
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum 2,7 V | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 kbits est organisée de façon logique en 8 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Compatible SRAM et EEPROM
Brochage SRAM et EEPROM 8 K x 8 standard
Temps d'accès de 70 ns, temps de cycle de 130 ns
Supérieur aux modules SRAM à batterie de secours
Aucun problème de batterie
Fiabilité monolithique
Véritable solution de montage en surface, pas de pas de pas de réusinage
Supérieure pour l'humidité, les chocs et les vibrations
Résistant aux sous-tensions négatives
Faible consommation électrique
Courant actif 12 mA (max.)
Courant de veille 20 μA (typ)
Fonctionnement à large tension : VDD = 2,7 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Petit boîtier de circuit intégré (SOIC) à 28 broches
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Compatible SRAM et EEPROM
Brochage SRAM et EEPROM 8 K x 8 standard
Temps d'accès de 70 ns, temps de cycle de 130 ns
Supérieur aux modules SRAM à batterie de secours
Aucun problème de batterie
Fiabilité monolithique
Véritable solution de montage en surface, pas de pas de pas de réusinage
Supérieure pour l'humidité, les chocs et les vibrations
Résistant aux sous-tensions négatives
Faible consommation électrique
Courant actif 12 mA (max.)
Courant de veille 20 μA (typ)
Fonctionnement à large tension : VDD = 2,7 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Petit boîtier de circuit intégré (SOIC) à 28 broches