Puce mémoire SRAM Traversant Cypress Semiconductor 256Kbit 32 K x 8 bits SOJ 85 broches

Indice de température
-40 à 85 °C.
Broche et fonction compatibles avec CY7C⁄C
Grande vitesse
tAA = 10 ns
Faible consommation active
ICC = 80 mA à 10 ns
Faible consommation en veille CMOS
ISB2 = 3 mA
Conservation des V Data
Mise hors tension automatique lorsqu'elle est désélectionnée
Semi-conducteur en oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse/puissance optimales
Entrées et sorties compatibles logique transistor-transistor (TTL)
Extension de mémoire facile avec les fonctions CE et OE
Disponible en boîtiers en J (SOJ) moulés à petit contour et moulés sans plomb 28 broches 300-Mil (SOJ) et en boîtier en I mince à petit contour (TSOP) 28 broches