SRAM CMS Microchip 64Kbit 8 K x 8 bits SOIC-8 8 broches
- Code commande RS:
- 215-5864
- Référence fabricant:
- 47L64-I/SN
- Marque:
- Microchip
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 100)
0,784 €
HT
0,941 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 100 + | 0,784 € | 78,40 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 215-5864
- Référence fabricant:
- 47L64-I/SN
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le Microchip EERAM est une SRAM qui ne perd pas son contenu lors d'une interruption de puissance. A l'intérieur de chaque cellule de mémoire, transparente pour l'utilisateur, se trouvent des transistors non volatiles qui capturent le contenu SRAM et le maintiennent par des événements de perte de puissance. Lors de la restauration de l'alimentation, la SRAM est rechargée avec son dernier contenu et le fonctionnement de la SRAM peut se poursuivre.
SRAM série 8 192 x 8 bits avec données non volatiles internes Sauvegarde
Interface I2C : jusqu'à 3 MHz avec entrées de déclencheur Schmitt pour la suppression du bruit
Technologie CMOS faible consommation : courant actif : 5 mA (maximum)
Interface I2C : jusqu'à 3 MHz avec entrées de déclencheur Schmitt pour la suppression du bruit
Technologie CMOS faible consommation : courant actif : 5 mA (maximum)
Courant de veille : 500 μA (maximum)
Courant de veille prolongée : 3 μA (maximum)
La sauvegarde non volatile basée sur la cellule reflète la cellule SRAM et transfère tous les éléments Données vers/depuis les cellules SRAM en parallèle (Toutes les cellules en même temps)
Transferts de données invisibles à l'utilisateur : niveau Vcc contrôlé à l'intérieur du dispositif, SRAM enregistrée automatiquement en cas de désaccouplement de l'alimentation, SRAM restaurée automatiquement sur le retour Vcc
100 000 sauvegardes minimum (à 20 °C)
Rétention de 100 ans (à 20 °C)
La sauvegarde non volatile basée sur la cellule reflète la cellule SRAM et transfère tous les éléments Données vers/depuis les cellules SRAM en parallèle (Toutes les cellules en même temps)
Transferts de données invisibles à l'utilisateur : niveau Vcc contrôlé à l'intérieur du dispositif, SRAM enregistrée automatiquement en cas de désaccouplement de l'alimentation, SRAM restaurée automatiquement sur le retour Vcc
100 000 sauvegardes minimum (à 20 °C)
Rétention de 100 ans (à 20 °C)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Taille mémoire | 64Kbit |
| Configuration | 8 K x 8 bits |
| Nombre de mots | 8k |
| Nombre de bits par mot | 8bit |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 550ns |
| Fréquence d'horloge | 1MHz |
| Faible consommation | Oui |
| Type de timing | Synchrone |
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | SOIC-8 |
| Nombre de broches | 8 |
| Dimensions | 4.9 x 3.9 x 1.5mm |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V |
| Hauteur | 1.5mm |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C |
| Longueur | 4.9mm |
| Largeur | 3.9mm |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |