SRAM CMS Renesas Electronics 4Mbit 512 k x 8 bits TSOP-44 44 broches

La mémoire RAM statique haut débit de 4 194 304 bits de Renesas Electronics est organisée en 512 K x 8. Elle est fabriquée au moyen de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse.

Il est doté d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne jusqu'à 5 ns avec des temps d'accès à l'adresse jusqu'à 10 ns.
Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de l'IDT71V424 sont compatibles TTL.
Les circuits asynchrones entièrement statiques sont utilisés sans nécessiter d'horloges ni de rafraîchissement pour le fonctionnement.
Il est doté d'une sortie de broche JEDEC Centre Power / GND pour une réduction du bruit.
Fournit une faible consommation électrique par désélection de puce.
Plage de températures industrielles de -40 °C à +85 °C disponible pour les vitesses sélectionnées