SRAM CMS Renesas Electronics 4Mbit 512 k x 8 bits TSOP-44 44 broches

La mémoire RAM statique haut débit de 4 194 304 bits de Renesas Electronics est organisée en 512 K x 8. Elle est fabriquée au moyen de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse.

Il est doté d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne jusqu'à 5 ns avec des temps d'accès à l'adresse jusqu'à 10 ns.
Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de l'IDT71V424 sont compatibles TTL.
Il fournit une sortie de broche JEDEC Centre Power / GND pour une réduction du bruit.
Faible consommation d'énergie via désélection de puce.
Plage de températures industrielles de -40 °C à +85 °C disponible pour des vitesses sélectionnées