Mémoire SRAM Renesas Electronics 4Mbit 256 K x 16

Le pwr central de RAM statique asynchrone de Renesas Electronics et le brouillage général de RAM statique haute vitesse 4 194 304 bits organisés en 256 K x 16. Il est fabriqué à l'aide de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse. Il est doté d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne jusqu'à 5 ns, avec des temps d'accès à l'adresse jusqu'à 10 ns. Il est emballé dans un SOJ en plastique à 44 broches de 400 mil et un boîtier TSOP de type II à 44 broches de 400 mil et un réseau de grille à billes de 48, boîtier de 9 x 9 mm.

256 K x 16 RAM statique CMOS haut débit avancée, alimentation centrale JEDEC / broche GND pour une réduction du bruit. Une sélection de puce plus une broche d'activation de sortie Entrées et sorties de données bidirectionnelles directement compatibles LVTTL Faible consommation d'énergie via la désélection de puce Broches d'activation supérieures et inférieures Alimentation simple 3,3 V Disponible dans un boîtier SOJ en plastique 44 broches 400 mil et un boîtier TSOP type II 44 broches 400 mil et un boîtier 48 grilles à billes 9 mm x 9 mm. Pièces vertes disponibles, voir les informations de commande