SRAM Renesas Electronics 4Mbit 256 K x 16

La mémoire SRAM CMOS de Renesas Electronics est organisée en 256 K x 16. Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de la SRAM sont compatibles LVTTL et fonctionnent à partir d'une seule alimentation de 3,3 V. Des circuits asynchrones entièrement statiques sont utilisés, ne nécessitant pas d'horloges ou de rafraîchissement pour le fonctionnement.

Alimentation centrale JEDEC / broche GND pour une réduction du bruit.
Une sélection de puce plus une broche d'activation de sortie
Entrées et sorties de données bidirectionnelles directement
Faible consommation d'énergie via désélection de puce
Broches d'activation d'octets supérieurs et inférieurs
Alimentation simple 3,3 V