STMicroelectronics Microcontrôleur, 32 bit ARM Cortex M4, 128 kB RAM, 512kB, 170 MHz, LQFP Clignotant 100 broches, série

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Code commande RS:
193-9862
Référence fabricant:
STM32G483VET6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

Microcontrôleur

Série

STM32G483VE

Type de Boitier

LQFP

Type de montage

Surface

Nombre de broches

100

Cœur du circuit

ARM Cortex M4

Largeur de bus de données

32bit

Taille de la mémoire programme

512kB

Fréquence d'horloge maximum

170MHz

Taille de la RAM

128kB

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

No

Longueur

14.2mm

Comparateurs analogiques

7

Hauteur

1.45mm

DAC

7 x 12 Bit

Largeur

14.2 mm

Nombre d'E/S programmables

107

Tension d'alimentation minimum

1.71V

Architecture de jeu d'instruction

RISC

Nombre de timers

2

Standard automobile

Non

CAN

26 x 12 Bit

Type de mémoire programme

Clignotant

Pays d'origine :
PH
Les dispositifs STM32G483xE sont basés sur le cœur RISC 32 bits ARM ® Cortex ®-M4 hautes performances. Ils fonctionnent à une fréquence jusqu'à 170 MHz. Le noyau Cortex-M4 est doté d'une unité à virgule flottante (FPU) à précision simple, qui prend en charge toutes les instructions de traitement de données ARM à précision simple et tous les types de données. Il implémente également un jeu complet d'instructions DSP (traitement de signal numérique) et une unité de protection de mémoire (MPU) qui améliore la sécurité de l'application. Ces dispositifs intègrent des mémoires haute vitesse (512 ko de mémoire Flash et 128 ko de SRAM), un contrôleur de mémoire externe flexible (FSMC) pour les mémoires statiques (pour les dispositifs avec des boîtiers de 100 broches et plus), une interface de mémoire Flash SPI quadruple et une large gamme d'E/S et de périphériques améliorés connectés à deux bus APB, deux bus AHB et une Matrix de bus multi-AHB 32 bits. Les dispositifs intègrent également plusieurs mécanismes de protection pour la mémoire Flash intégrée et la mémoire SRAM : protection de lecture, protection en écriture, zone de mémoire sécurisable et protection de lecture de code propriétaire.

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