Microcontrôleur, 32bit 64 Ko, 48MHz, UFQFPN 48, série STM32WL
- Code commande RS:
- 210-8301P
- Référence fabricant:
- STM32WL55CCU6
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix l'unité (conditionné en plateau)**
4,555 €
HT
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- Code commande RS:
- 210-8301P
- Référence fabricant:
- STM32WL55CCU6
- Marque:
- STMicroelectronics
Les dispositifs sans fil longue portée et ultra-faible consommation STM32WL55/54xx intègrent une solution radio puissante et ultra-faible consommation compatible LPWAN, permettant les modulations suivantes : LoRa®, (G)FSK, (G)MSK et BPSK.
La modulation LoRa® est uniquement disponible avec le modèle STM32WLx5xx.
Ces dispositifs sont conçus pour être extrêmement économes en énergie et sont basés sur le noyau RISC 32 bits Arm® Cortex®-M4 haute performance fonctionnant à une fréquence allant jusqu'à 48 MHz. Ce noyau met en œuvre un jeu complet d'instructions DSP. Il est complété par un microcontrôleur Arm® Cortex®-M0+. Les deux noyaux mettent en œuvre une unité de protection de la mémoire (MPU) indépendante qui renforce la sécurité de l'application.
Les dispositifs intègrent des mémoires haut débit (mémoire Flash de 256 ko, SRAM de 64 ko), ainsi qu'une large gamme d'E/S et de périphériques améliorés.
Les dispositifs intègrent également plusieurs mécanismes de protection pour la mémoire Flash et la SRAM intégrées : protection de lecture, protection d'écriture et protection de lecture de code propriétaire.
La modulation LoRa® est uniquement disponible avec le modèle STM32WLx5xx.
Ces dispositifs sont conçus pour être extrêmement économes en énergie et sont basés sur le noyau RISC 32 bits Arm® Cortex®-M4 haute performance fonctionnant à une fréquence allant jusqu'à 48 MHz. Ce noyau met en œuvre un jeu complet d'instructions DSP. Il est complété par un microcontrôleur Arm® Cortex®-M0+. Les deux noyaux mettent en œuvre une unité de protection de la mémoire (MPU) indépendante qui renforce la sécurité de l'application.
Les dispositifs intègrent des mémoires haut débit (mémoire Flash de 256 ko, SRAM de 64 ko), ainsi qu'une large gamme d'E/S et de périphériques améliorés.
Les dispositifs intègrent également plusieurs mécanismes de protection pour la mémoire Flash et la SRAM intégrées : protection de lecture, protection d'écriture et protection de lecture de code propriétaire.
En outre, les périphériques STM32WL55/54xx prennent en charge les services sécurisés suivants exécutés sur Arm® Cortex-M0+ : entrée de démarrage unique, couche MAC sub-GHz sécurisée, mise à jour de micrologiciel sécurisée, installation de micrologiciel sécurisé et stockage et gestion de clés sécurisées.
Ces dispositifs offrent un ADC 12 bits, un DAC 12 bits à faible consommation d'échantillonnage et de maintien, deux comparateurs à très faible consommation associés à un générateur de tension de référence haute précision.
Les dispositifs intègrent un RTC à faible consommation avec un compteur de réveil sub-secondaire de 32 bits, un timer à canal simple de 16 bits, deux timers à quatre canaux de 16 bits (prenant en charge la commande de moteur), un timer à quatre canaux de 32 bits et trois timers à très faible consommation de 16 bits.
Ces dispositifs intègrent également deux contrôleurs DMA (7 canaux chacun) permettant toute combinaison de transfert entre la mémoire (mémoire flash, SRAM1 et SRAM2) et le périphérique, à l'aide du DMAMUX1 pour une cartographie de canal DMA flexible.
Ces dispositifs offrent un ADC 12 bits, un DAC 12 bits à faible consommation d'échantillonnage et de maintien, deux comparateurs à très faible consommation associés à un générateur de tension de référence haute précision.
Les dispositifs intègrent un RTC à faible consommation avec un compteur de réveil sub-secondaire de 32 bits, un timer à canal simple de 16 bits, deux timers à quatre canaux de 16 bits (prenant en charge la commande de moteur), un timer à quatre canaux de 32 bits et trois timers à très faible consommation de 16 bits.
Ces dispositifs intègrent également deux contrôleurs DMA (7 canaux chacun) permettant toute combinaison de transfert entre la mémoire (mémoire flash, SRAM1 et SRAM2) et le périphérique, à l'aide du DMAMUX1 pour une cartographie de canal DMA flexible.
Radio
oPlage de fréquence : de 150 à 960 MHz
oModulation : LoRa®, (G)FSK, (G)MSK et BPSK
oSensibilité RX : -123 dBm pour 2-FSK (à 1,2 Kbits/s), -148 dBm pour LoRa® (à 10,4 kHz, facteur de propagation de 12)
oPuissance de sortie élevée de l'émetteur, programmable jusqu'à +22 dBm
oFaible puissance de sortie de l'émetteur, programmable jusqu'à +15 dBm
oConforme aux réglementations de radiofréquence suivantes telles que ETSI EN 300 220, EN 300 113, EN 301 166, FCC CFR 47 partie 15, 24, 90, 101 et les normes japonaises ARIB STD-T30, T-67, T-108
oCompatible avec les protocoles standardisés ou propriétaires tels que LoRaWAN®, SigfoxTM, W-MBus et bien plus (système sans fil entièrement ouvert sur la puce)
oPlage de fréquence : de 150 à 960 MHz
oModulation : LoRa®, (G)FSK, (G)MSK et BPSK
oSensibilité RX : -123 dBm pour 2-FSK (à 1,2 Kbits/s), -148 dBm pour LoRa® (à 10,4 kHz, facteur de propagation de 12)
oPuissance de sortie élevée de l'émetteur, programmable jusqu'à +22 dBm
oFaible puissance de sortie de l'émetteur, programmable jusqu'à +15 dBm
oConforme aux réglementations de radiofréquence suivantes telles que ETSI EN 300 220, EN 300 113, EN 301 166, FCC CFR 47 partie 15, 24, 90, 101 et les normes japonaises ARIB STD-T30, T-67, T-108
oCompatible avec les protocoles standardisés ou propriétaires tels que LoRaWAN®, SigfoxTM, W-MBus et bien plus (système sans fil entièrement ouvert sur la puce)
Plateforme à très faible consommation
oAlimentation de 1,8 à 3,6 V
oPlage de températures de -40 à +105 °C
oMode d'arrêt : 31 nA (VDD = 3 V)
oMode veille (+ RTC) : 360 nA (VDD = 3 V)
oMode Stop2 (+ RTC) : 1,07 μA (VDD = 3 V)
oMicrocontrôleur à mode actif : < 72 μA/MHz (CoreMark®)
oRX à mode actif : 4,82 mA
oTX à mode actif : 15 mA à 10 dBm et 87 mA à 20 dBm (LoRa® 125 kHz)
Noyau
oMicroprocesseur Arm® Cortex®-M4 32 bits
Accélérateur en temps réel adaptatif (accélérateur ART) permettant l'exécution d'état d'attente 0 à partir de la mémoire flash, fréquence jusqu'à 48 MHz, instructions MPU et DSP
1,25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
oMicroprocesseur Arm®Cortex®-M0+ 32 bits
Fréquence jusqu'à 48 MHz, MPU
0,95 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
Sécurité et identification
oCodage matériel AES 256 bits
Véritable générateur de nombres aléatoires (RNG)
oAlimentation de 1,8 à 3,6 V
oPlage de températures de -40 à +105 °C
oMode d'arrêt : 31 nA (VDD = 3 V)
oMode veille (+ RTC) : 360 nA (VDD = 3 V)
oMode Stop2 (+ RTC) : 1,07 μA (VDD = 3 V)
oMicrocontrôleur à mode actif : < 72 μA/MHz (CoreMark®)
oRX à mode actif : 4,82 mA
oTX à mode actif : 15 mA à 10 dBm et 87 mA à 20 dBm (LoRa® 125 kHz)
Noyau
oMicroprocesseur Arm® Cortex®-M4 32 bits
Accélérateur en temps réel adaptatif (accélérateur ART) permettant l'exécution d'état d'attente 0 à partir de la mémoire flash, fréquence jusqu'à 48 MHz, instructions MPU et DSP
1,25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
oMicroprocesseur Arm®Cortex®-M0+ 32 bits
Fréquence jusqu'à 48 MHz, MPU
0,95 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
Sécurité et identification
oCodage matériel AES 256 bits
Véritable générateur de nombres aléatoires (RNG)
Attribut | Valeur |
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Série | STM32WL |
Type de boîtier | UFQFPN |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 48 |
Cœur du circuit | ARM Cortex M0+, ARM Cortex M4 |
Largeur de bus de données | 32bit |
Taille de la mémoire programme | 64 Ko |
Fréquence maximum | 48MHz |
Type de mémoire programme | Flash |