Module de développement de communication et sans fil NXP Reference Circuit 27MHz

Le transistor MOSFET latéral à canal N à mode d'amélioration à haute robustesse est conçu pour les applications industrielles, médicales, de diffusion, aérospatiales et de radio mobile à VSWR élevé. Avec une conception d'entrée et de sortie inégalée, ce transistor prend en charge une gamme de fréquences allant de 1,8 à 400 MHz, ce qui le rend idéal pour une large gamme d'applications.

Conçu pour les applications industrielles, médicales, de radiodiffusion, aérospatiales et de radio mobile à ROS élevé
La conception inégalée de l'entrée et de la sortie prend en charge une large gamme de fréquences de 1,8 à 400 MHz
Capacité de puissance RF à large bande pour d'excellentes performances
Tension de claquage élevée pour une fiabilité accrue
Protection ESD intégrée pour un fonctionnement amélioré en classe C
Convient pour une utilisation dans des applications à ROS élevé avec une excellente durabilité