NVRAM Renesas Electronics, 32Mo, Parallèle, FBGA , 48 broches, 45ns

Le Renesas M3xxx316 est une mémoire vive (MRAM) magnéto-résistive. Il est proposé en densité de 4 à 32 Mbits. La technologie MRAM est similaire à la technologie Flash avec des temps de lecture/écriture 35 ns/35 ns et 45 ns/45 ns compatibles SRAM (SRAM permanente, P-SRAM). Les données sont toujours non volatiles. La mémoire MRAM est ainsi une solution de mémoire non volatile très fiable et rapide. La mémoire MRAM est une véritable mémoire à accès aléatoire

Idéal pour les applications qui doivent stocker et récupérer des données sans subir de fortes charges de latence. L'interface est la technologie parallèle asynchrone x16 utilisée. La plage de tension d'utilisation MTJ STT-MRAM 40 nm est de 2,70 à 3,60 V. Le type de boîtier est conforme à la directive RoHS et conforme REACH à la norme FBGA 48 billes (10 mm x 10 mm)