Optocoupleur Montage en surface onsemi, Sortie IGBT, MOSFET
- Code commande RS:
- 186-7261
- Référence fabricant:
- FOD8342R2
- Marque:
- onsemi
En stock à partir du 06/08/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en bobine de 1000)
1,369 €
HT
1,643 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 1000 - 1000 | 1,369 € | 1 369,00 € |
| 2000 - 4000 | 1,295 € | 1 295,00 € |
| 5000 - 9000 | 1,247 € | 1 247,00 € |
| 10000 + | 1,183 € | 1 183,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 186-7261
- Référence fabricant:
- FOD8342R2
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
FOD8342T - Distance de suintement et dégagement de 8 mm et Distance d'isolation de 0,4 mm pour obtenir une isolation fiable et haute tension
3.0 Une capacité Peak Output Current Driving pour IGBT/MOSFET de puissance moyenne - Utilisation des MOSFET de canal P au niveau du stade de sortie active le pivotement de tension de sortie près du rail d'alimentation
Réjection minimale en mode commun de 20 kV/μs
Plage de tension d'alimentation étendue : 10 V à 30 V.
Vitesse de commutation rapide sur la plage de température de fonctionnement complète - Retard de propagation maximum de 210 ns - Distorsion de largeur d'impulsion maximale de 65 ns = Blocage de tension (UVLO) avec hystérésis
Gamme industrielle étendue tempérée : -40°C à 100°C
Applications
Entraînement de moteur c.a. et c.c. brushless
Onduleur industriel
Alimentation sans interruption
Chauffage par induction
IGBT/Power MOSFET Gate Drive isolé
3.0 Une capacité Peak Output Current Driving pour IGBT/MOSFET de puissance moyenne - Utilisation des MOSFET de canal P au niveau du stade de sortie active le pivotement de tension de sortie près du rail d'alimentation
Réjection minimale en mode commun de 20 kV/μs
Plage de tension d'alimentation étendue : 10 V à 30 V.
Vitesse de commutation rapide sur la plage de température de fonctionnement complète - Retard de propagation maximum de 210 ns - Distorsion de largeur d'impulsion maximale de 65 ns = Blocage de tension (UVLO) avec hystérésis
Gamme industrielle étendue tempérée : -40°C à 100°C
Applications
Entraînement de moteur c.a. et c.c. brushless
Onduleur industriel
Alimentation sans interruption
Chauffage par induction
IGBT/Power MOSFET Gate Drive isolé
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Type de sortie | IGBT, MOSFET |
| Tension directe maximum | 1.8V |
| Nombre de canaux | 1 |
| Nombre de broches | 6 |
| Type de boîtier | SOIC |
| Temps de croissance | 38ns |
| Courant d'entrée maximum | 10 mA |
| Tension d'isolement | 5 kVrms |
| Sortie Logique | Oui |
| Temps de chute | 24ns |