Optocoupleur Montage en surface Broadcom, Sortie MOSFET
- Code commande RS:
- 239-9301
- Référence fabricant:
- ASSR-601JT-000E
- Marque:
- Broadcom
Sous-total (1 tube de 45 unités)*
174,105 €
HT
208,935 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 45 + | 3,869 € | 174,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 239-9301
- Référence fabricant:
- ASSR-601JT-000E
- Marque:
- Broadcom
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Broadcom | |
| Type de montage | Montage en surface | |
| Type de sortie | MOSFET | |
| Tension directe maximum | 1.85V | |
| Nombre de canaux | 1 | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Type de boîtier | SO | |
| Série | ASSR-601JT | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Broadcom | ||
Type de montage Montage en surface | ||
Type de sortie MOSFET | ||
Tension directe maximum 1.85V | ||
Nombre de canaux 1 | ||
Nombre de broches 16 | ||
Type de boîtier SO | ||
Série ASSR-601JT | ||
- Pays d'origine :
- TH
Le transistor ASSR-601JT de Broadcom est un transistor photo MOSFET haute tension conçu pour les applications automobiles. L'ASSR-601JT se compose d'un étage d'entrée à diode électroluminescente infrarouge (LED) AlGaAs optiquement couplé à un circuit détecteur de sortie haute tension. Le détecteur se compose d'un réseau de diodes photovoltaïques haut débit et d'un circuit de driver pour activer/désactiver deux transistors MOSFET haute tension discrets. Le MOSFET photo s'allume (le contact se ferme) avec un courant d'entrée minimum de 7 mA à travers la LED d'entrée. Le MOSFET photo s'éteint (le contact s'ouvre) avec une tension d'entrée de 0,4 V ou moins.
Commutateur de signal à semi-conducteur bidirectionnel compact
Qualifié conformément aux directives de test AEC-Q101
Tension d'isolement, BVDSS 1 500 V à IDSS = 250 μA
Résistance à la mise sous tension nominale MOSFET
Résistance à l'état passant, RDS(ON)<250 Ω à ILOAD = 10 m
Temps de mise en marche TON<4 ms
Temps de mise hors tension TOFF <05 ms
Boîtier 300 mil SO-16
Lignes de fuite et dégagement ≥ 8 mm (entrée-sortie)
Lignes de fuite> 5 mm (entre les broches de drain des transistors MOSFET)
Qualifié conformément aux directives de test AEC-Q101
Tension d'isolement, BVDSS 1 500 V à IDSS = 250 μA
Résistance à la mise sous tension nominale MOSFET
Résistance à l'état passant, RDS(ON)<250 Ω à ILOAD = 10 m
Temps de mise en marche TON<4 ms
Temps de mise hors tension TOFF <05 ms
Boîtier 300 mil SO-16
Lignes de fuite et dégagement ≥ 8 mm (entrée-sortie)
Lignes de fuite> 5 mm (entre les broches de drain des transistors MOSFET)
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