- Code commande RS:
- 145-1980
- Référence fabricant:
- TEFD4300
- Marque:
- Vishay
2000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour L'unité (en sachet de 1000)
0,227 €
HT
0,272 €
TTC
Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
1000 - 1000 | 0,227 € | 227,00 € |
2000 + | 0,218 € | 218,00 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 145-1980
- Référence fabricant:
- TEFD4300
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
Photodiodes PIN série TEFD4300
La série TEFD4300, de Vishay Semiconductor, regroupent des photodiodes PIN au silicium avec une haute sensibilité rayonnante. Elles sont fournies dans des boîtiers standard à montage traversant de 3 mm (T-1) avec des options de filtre clairs et lumière du jour. Les applications adaptées incluent : photodétecteurs haute vitesse pour la transmission de données, commutateurs optiques, compteurs et trieuses, interrupteurs, encodeurs et capteurs de position.
Caractéristiques :
Type de boîtier : chargé
Forme du boîtier : T-1
Dimensions (en mm) : Ø 3
Haute sensibilité rayonnante
Adapté pour le rayonnement visible et proche infrarouge
Temps de réponse rapides
Angle de demi-sensibilité : φ = ±20°
Boîtier adapté à la série d'émetteurs IR VSLB3940
Forme du boîtier : T-1
Dimensions (en mm) : Ø 3
Haute sensibilité rayonnante
Adapté pour le rayonnement visible et proche infrarouge
Temps de réponse rapides
Angle de demi-sensibilité : φ = ±20°
Boîtier adapté à la série d'émetteurs IR VSLB3940
Applications :
Photodétecteur haute vitesse pour la transmission de données
Commutateurs optiques
Compteurs et trieurs
Interrupteurs
Encodeurs
Capteurs de position
Commutateurs optiques
Compteurs et trieurs
Interrupteurs
Encodeurs
Capteurs de position
Photodiodes IR, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Spectres détectés | Infrarouge |
Pic de sensibilité de longueur d'onde | 950nm |
Type de boîtier | T-1 |
Type de montage | Traversant |
Fonction d'amplificateur | Non |
Nombre de broches | 2 |
Matériau de la diode | Si |
Longueur d'onde minimum détectée | 350nm |
Longueur d'onde maximum détectée | 1120nm |
Temps de chute | 100ns |
Taille | 4.5mm |
Diamètre | 3.2mm |
Courant de court-circuit | 15µA |
Série | TEFD |
Tension disruptive | 60V |
Temps de croissance | 100ns |
Nos clients ont également consulté
- Photo diode Infrarouge Montage en surface, boîtier 1206
- Photo diode Infrarouge Montage en surface
- Photo diode Infrarouge Traversant
- Photo diode Infrarouge Montage en surface, boîtier 0805
- Photo diode Infrarouge Montage en surface, boîtier QFN
- Photo diode Rayonnement proche infrarouge Si boîtier 5mm
- Photo diode Infrarouge Traversant, Boîtier Side-looker
- Photo diode Infrarouge Traversant, boîtier 5mm