Photo diode, OSI Optoelectronics, InGaAs, Traversant, boîtier TO-46

Les modèles FCI-InGaAs-XXX-CCER avec zones actives de 70 μm, 120 μm, 300 μm, 400 μm et 500 μm font partie des photodiodes sensibles aux IR à vitesse élevée d'OSI Optoelectronics, montées sur des substrats en céramique en M avec fenêtres en verre. Ces circuits sont dotés d'une fenêtre en verre fixée à la céramique, les fibres pouvant être montées sur le substrat en céramique par un support époxy ou eutectique.

Applications du produit :
Communications optiques haut débit
Ethernet Gigabit/canaux à fibre
SONET/SDH, ATM
Surveillance laser de diodes
Instrumentation
Caractéristiques du produit
Faible bruit
Réactivité élevée
Haut débit
Plage spectrale 900 nm à 1 700 nm