Photo diode, ON Semiconductor, Si, Montage en surface, boîtier TSV

Microcellules haute densité
Les capteurs de la série J sont dotés de terminal de sortie rapide unique d'ON Semiconductor
Stabilité de température de 21,5 mV/°C.
Uniformité de tension de rupture exceptionnelle de ±250 mV
Disponible dans un boîtier CMS TSV compatible avec la soudure par refusion
Vitesses de comptage sombres ultrafaibles de 50 kHz/mm2 typique
Optimisé pour les applications de temporisation hautes performances, telles que ToF-PET
Tailles de capteur de 3, 4 et 6 mm
Tension de polarisation de< 30 V.
Résultats avec un rendement de détection de photons (PDE) de 50 % à 420 nm
Temps de montée de signal amélioré et temps de récupération de microcellule
Annule le besoin de contrôle de tension actif
Uniformité de pointe
Le boîtier TSV entraîne un espace mort presque nul permettant la création de réseaux à facteur de remplissage élevé et est sans métal ferreux
Applications
Imagerie médicale
Danger et menace
Mesure et détection 3D.
Biophotonique et sciences
Physique à haute énergie