Photo diode Non, OSI Optoelectronics, Traversant, boîtier TO-52, 65 °, Infrarouge

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Code commande RS:
848-6301
Référence fabricant:
APD05-8-150-T52L
Marque:
OSI Optoelectronics
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Marque

OSI Optoelectronics

Spectres détectés

Infrarouge

Type de produit

Photo diode

Pic de sensibilité de longueur d'onde

800nm

Type de Boitier

TO-52

Emballage

Ruban et bobine

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Longueur d'onde minimum détectée

600nm

Longueur d'onde maximum détectée

1100nm

Temps de chute

0.6ns

Amplifié

Non

Température minimum de fonctionnement

-25°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Largeur

5mm

Longueur

5mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

3.8mm

Diamètre

5.4mm

Angle de 1/2 sensibilité

65 °

Polarité

Inverse

Standard automobile

Non

Courant d'obscurité

0.2nA

Tension disruptive

30V

Temps de Montée

0.6ns

Pays d'origine :
US

Diodes à avalanche au silicium 8-150 série APD d'OSI


La série APD 8-150 d'OSI Optoelectronics est une famille de photodiodes à avalanche au silicium optimisées pour fonctionner avec des longueurs d'onde de 800 nm. Elles sont fournies dans des boîtiers métalliques hermétiques avec des options de diamètre de zone active de 0,2, 0,5, 1 ou 1,5 mm. Les photodiodes de la série APD 8-150 offrent un faible niveau sonore et une haute sensibilité sur des largeurs de bande jusqu'à 1 GHz. Applications adaptées aux photodiodes APD 8-150 : communication par fibre optique, télémètre laser et photométrie à grande vitesse.

Caractéristiques de la série APD 8-150 :

Boîtiers : TO-52 et TO-5

Faible coefficient de température : 0,45 V/°C

Haute sensibilité.

Niveau sonore faible.

Largeur de bande élevée

Température d'utilisation : -40 °C à +100 °C

Photodiodes, OSI Optoelectronics


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