Transistor de puissance ROHM 20 A, 8 broches 750V, DFN-8080K
- Code commande RS:
- 264-697P
- Référence fabricant:
- GNP1070TC-ZE2
- Marque:
- ROHM
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|---|---|
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| 100 + | 7,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-697P
- Référence fabricant:
- GNP1070TC-ZE2
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant de sortie | 20A | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de Boitier | DFN-8080K | |
| Temps de descente | 8.7ns | |
| Temps de montée | 6.9ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 24V | |
| Tension d'alimentation maximum | 750V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -10°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | GNP1070TC NA | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant de sortie 20A | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de Boitier DFN-8080K | ||
Temps de descente 8.7ns | ||
Temps de montée 6.9ns | ||
Tension d'alimentation minimum 24V | ||
Tension d'alimentation maximum 750V | ||
Température minimum de fonctionnemen -10°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série GNP1070TC NA | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Le ROHM E-mode Gallium-Nitride (GaN) FET est un HEMT GaN 650V qui a atteint la classe FOM la plus élevée de l'industrie (Ron Ciss Ron Coss). Il s'agit d'un produit de la série EcoGaN qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la taille en tirant le meilleur parti d'une faible résistance à l'enclenchement et d'une commutation à grande vitesse. La fonction de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) est intégrée pour une conception à haute fiabilité. En outre, les boîtiers très polyvalents offrent une excellente dissipation de la chaleur et facilitent le montage.
650V E-mode GaN FET
70mΩ Résistance
5,2nC Charge de porte