Driver de MOSFET LM5111-1M/NOPB, TTL 5 A 14V, 8 broches, SOIC

Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.

Le driver à double porte de Texas Instruments remplace les drivers de grille standard par un courant de sortie Peak amélioré et un rendement. Chaque étage de driver de sortie composé inclut des transistors MOS et bipolaires fonctionnant en parallèle qui, ensemble, Peak de plus de 5 A à partir de charges capacitives. La combinaison des caractéristiques uniques des dispositifs MOS et bipolaires réduit la variation de courant d'entraînement avec la tension et la température. Une protection contre le verrouillage de sous-tension est également fournie. Les drivers peuvent être actionnés en parallèle avec les entrées et sorties connectées pour doubler la capacité de courant d'entraînement. Ce dispositif est disponible dans le boîtier SOIC ou thermiquement amélioré

Commande indépendante deux MOSFET à canal N
Les sorties CMOS et bipolaires composées réduisent la variation de courant de sortie
Dissipateur 5 A et capacité de courant source 3 A.
Deux canaux peuvent être connectés en parallèle pour doubler le courant d'entraînement
Entrées indépendantes (compatibles TTL)
Temps de propagation rapide (25 ns typique)
Temps de montée et de descente rapides (montée et descente de 14 ns et 12 ns, respectivement, avec charge de 2 nF)
Disponible en configurations double non inverseur, double inversion et combinaison
Protection contre le verrouillage de sous-tension (UVLO) sur rail d'alimentation
LM5111-4 UVLO configuré pour faire passer le PFET à OUT_A et le NFET à OUT_B.
Broche compatible avec les drivers de grille standard

Drivers IGBT et MOSFET, Texas Instruments