AEC-Q100 Driver de MOSFET Si8275GB-IM1, TTL 1,8 A, 4 A. 5.5V, 14 broches, QFN

Les dispositifs SI8275GB-IM1 offrent des options pour un driver de driver double et d'entrées VIA, VIB. Le Si8275GB-IM1, avec son immunité au bruit hautes performances, élimine le risque posé par des vitesses de commutation plus faster. Les transitoires à bruit élevé générées par la commutation faster n'affectent pas l'intégrité du signal à travers le driver, éliminant ainsi le risque de perte de modulation. La très haute spécification de verrouillage de 400 kV/μs rend les dispositifs Si8275GB-IM1 extrêmement robustes, empêchant les dommages de verrouillage permanents, et est doté d'une protection contre les défaillances UVLO, d'un circuit de déglitch pour filtrer les entrées bruyantes et d'une programmabilité à temps mort (broche DT) extrêmement précise. Grâce à cette fonction, les utilisateurs peuvent contrôler avec précision le temps mort entre les deux drivers pour optimiser l'efficacité et la sécurité du système. Les drivers fonctionnent avec une large gamme de VDD d'entrée 2,5 - 5,5 V et une tension d'alimentation d'entraînement maximale de 30 V.