Driver de MOSFET NCV57090FDWR2G 6,5 A 22V, 8 broches, SOIC

on Semiconductor NCV57090FDWR2G est un driver de grille IGBT/MOSFET à canal unique à courant élevé avec isolation galvanique interne 5 kVRMS, conçu pour un haut rendement du système et une grande fiabilité dans les applications à haute puissance. Les dispositifs acceptent des entrées complémentaires et, selon la configuration de broche, offrent des options telles que l'attache Miller active pour plus de commodité de conception du système. Il est doté d'une faible chute de tension de serrage qui élimine le besoin d'une alimentation négative pour empêcher la mise sous tension de la porte. Le driver accepte une large gamme de tensions de polarisation d'entrée et de niveaux de signal de 3,3 à 20 V et est disponible dans un boîtier SOIC-8 à corps large.

Il est doté d'un courant de sortie Peak élevé (+6,5 A/6,5 A)
Il fournit de courts délais de propagation avec une adaptation précise
Il offre un serrage de porte IGBT/MOSFET pendant les courts-circuits