Driver de MOSFET NCP51561BADWR2G 5V, 16 broches, SOIC

Le driver de grille IGBT/MOSFET isolé on Semiconductor à courant élevé est un canal simple à courant élevé. Drivers de grille IGBT/MOSFET avec isolation galvanique interne 5 kVRMS, conçus pour un haut rendement et une grande fiabilité du système dans les applications haute puissance. Les dispositifs acceptent des entrées complémentaires et, selon la configuration de broche, offrent des options telles que les sorties de driver Miller actif (version A/D/F), négatif (version B) et élevé et faible (OUTH et OUTL) séparées (version C/E) pour plus de commodité de conception de système............. Les dispositifs acceptent des entrées complémentaires sont disponibles en fonction de la configuration de la broche.. Les broches sont disponibles. Les sorties de la version C/E sont disponibles. Les différentes. Les entrées de Miller Le driver accepte une large gamme de tensions de polarisation d'entrée et de niveaux de signal de 3,3 à 20 V et est disponible dans un boîtier SOIC-8 à corps large.

Courant de sortie Peak élevé (+6,5 A/6,5 A)
Une faible chute de tension de serrage élimine le besoin d'une alimentation négative pour empêcher la mise sous tension de la porte parasite (version A/D/F)
Délais de propagation courts avec correspondance précise
Blocage de porte IGBT/MOSFET pendant un court-circuit
Grille IGBT/MOSFET active à tirer vers le bas
Seuils UVLO serrés pour une flexibilité de polarisation
Large plage de tension de polarisation, y compris VEE2 négatif (version B)
Entrée logique 3,3 V, 5 V et 15 V.
Isolation galvanique 5 kVRMS
Immunité transitoire élevée
Immunité électromagnétique élevée