Driver de MOSFET NCV57081BDR2G 22V, 8 broches, SOIC

Drivers de grille IGBT/MOSFET on Semiconductor à canal unique à courant élevé avec isolation galvanique interne de 3,75 kVRMS, conçus pour un haut rendement et une grande fiabilité du système dans les applications haute puissance. Les dispositifs acceptent des entrées complémentaires et, selon la configuration de broche, offrent des options telles que les sorties de driver Miller actif (version A), négatif (version B) et élevé et faible (OUTH et OUTL) séparées (version C) pour plus de commodité de conception du système. Le driver accepte une large gamme de tensions de polarisation d'entrée et de niveaux de signal de 3,3 à 20 V et est disponible dans un boîtier SOIC-8 à corps étroit.

Courant de sortie Peak élevé (+6,5 A/6,5 A)
Une faible chute de tension de serrage élimine le besoin d'une puissance négative
Alimentation pour empêcher la mise sous tension de la porte parasite (version A)
Délais de propagation courts avec correspondance précise
Blocage de porte IGBT/MOSFET pendant un court-circuit
Grille IGBT/MOSFET active à tirer vers le bas
Seuils UVLO serrés pour une flexibilité de polarisation
Large plage de tension de polarisation, y compris VEE2 négatif (version B)
Entrée logique 3,3 V, 5 V et 15 V.
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