- Code commande RS:
- 256-1548
- Référence fabricant:
- HIP2100IBZT7A
- Marque:
- Renesas Electronics
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 2)
4,22 €
HT
5,06 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
2 - 8 | 4,22 € | 8,44 € |
10 - 18 | 3,795 € | 7,59 € |
20 - 98 | 3,715 € | 7,43 € |
100 - 198 | 3,10 € | 6,20 € |
200 + | 3,04 € | 6,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 256-1548
- Référence fabricant:
- HIP2100IBZT7A
- Marque:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le driver demi-pont Renesas est un CI de driver MOSFET de puissance à canal N à demi-pont haute fréquence de 100 V. Les drivers de grille Low-Side et High-Side sont contrôlés de manière indépendante et assortis à 8 ns. Cela offre à l'utilisateur une flexibilité maximale dans la sélection de temps mort et le protocole de driver. La protection contre les sous-tensions sur les alimentations côté bas et côté haut force les sorties vers le bas. Une diode intégrée élimine la diode discrète nécessaire avec d'autres CI de driver. Une nouvelle topologie de commutateur de niveau offre les avantages de faible consommation d'un fonctionnement par impulsions avec la sécurité d'un fonctionnement c.c. Contrairement à certains concurrents, la sortie haute puissance revient à son état correct après une sous-tension momentanée de l'alimentation haute puissance.
Entraîne un demi-pont MOSFET à canal N sans plomb
(conforme à la directive RoHS)
Tension d'alimentation maximale de la barre d'amorçage jusqu'à 114 V
COn-chip Diode
de barre d'amorçage de 1 Ω Temps de propagation rapides pour les circuits multi-MHz
Entraîne une charge de 1 000 pF avec des temps de montée et de descente typiques de 10 ns
Seviers d'entrée CMOS pour une meilleure immunité
au bruit Faible consommation
d'énergie Large
plage d'alimentation Protection contre les sous-tensions
(conforme à la directive RoHS)
Tension d'alimentation maximale de la barre d'amorçage jusqu'à 114 V
COn-chip Diode
de barre d'amorçage de 1 Ω Temps de propagation rapides pour les circuits multi-MHz
Entraîne une charge de 1 000 pF avec des temps de montée et de descente typiques de 10 ns
Seviers d'entrée CMOS pour une meilleure immunité
au bruit Faible consommation
d'énergie Large
plage d'alimentation Protection contre les sous-tensions
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type logique | CMOS |
Tension d'alimentation | 9 → 14V c.c. |
Nombre de broches | 8 |
Temps de descente | 10ns |
Type de boîtier | SOIC |
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