Contrôleur PWM, NCP4306AADZZZADR2G, 1 MHz, 35 V, SOIC 8 broches
- Code commande RS:
- 178-4356
- Référence fabricant:
- NCP4306AADZZZADR2G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
865,00 €
HT
1 037,50 €
TTC
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- Expédition à partir du 21 août 2026
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,346 € | 865,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4356
- Référence fabricant:
- NCP4306AADZZZADR2G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Fréquence de découpage maximum | 1 MHz | |
| Tension de sortie | 11 V | |
| Courant de sortie | 2 A, 7 A. | |
| Nombre de sorties | 1 | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Type de contrôleur de PWM | Redresseur synchrone du côté secondaire | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +125 °C | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 35 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Fréquence de découpage maximum 1 MHz | ||
Tension de sortie 11 V | ||
Courant de sortie 2 A, 7 A. | ||
Nombre de sorties 1 | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Dimensions 5 x 4 x 1.5mm | ||
Longueur 5mm | ||
Type de contrôleur de PWM Redresseur synchrone du côté secondaire | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +125 °C | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 35 V | ||
- Pays d'origine :
- PH
The NCP4306 is high performance driver tailored to control a synchronous rectification MOSFET in switch mode power supplies. Thanks to its high performance drivers and versatility, it can be used in various topologies such as DCM or CCM flyback, quasi resonant flyback, forward and half bridge resonant LLC.
Allows for proper timing of SR MOSFET turn on and turn off
Maximizes conduction time of the MOSFET to increase efficiency
Allows direct connection of CS input to MOSFET drain in flyback applications
Improves performance for applications working in deep CCM
Enters the IC into a low consumption standby mode
Prevents accidental MOSFET turn on or turn off due to ringing
Enhanced Operation for USB-PD Applications
Fast turn off of MOSFET for optimized conduction period
Increased stability coming in and out of Light Load
Wide output operating voltages
Maximizes conduction time of the MOSFET to increase efficiency
Allows direct connection of CS input to MOSFET drain in flyback applications
Improves performance for applications working in deep CCM
Enters the IC into a low consumption standby mode
Prevents accidental MOSFET turn on or turn off due to ringing
Enhanced Operation for USB-PD Applications
Fast turn off of MOSFET for optimized conduction period
Increased stability coming in and out of Light Load
Wide output operating voltages