- Code commande RS:
- 922-3388
- Référence fabricant:
- TPS51200DRCT
- Marque:
- Texas Instruments
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Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en bobine de 250)
0,712 €
HT
0,854 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
250 - 250 | 0,712 € | 178,00 € |
500 - 1000 | 0,693 € | 173,25 € |
1250 - 2250 | 0,675 € | 168,75 € |
2500 + | 0,659 € | 164,75 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 922-3388
- Référence fabricant:
- TPS51200DRCT
- Marque:
- Texas Instruments
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Régulateurs de raccordement de mémoire DDR, Texas Instruments
Conçu spécifiquement pour les raccordements de bus dans les applications de mémoires DDR et QDR. Ces régulateurs de raccordement de suivi d'émission/réception sont conçus spécifiquement pour les applications économiques à gain de place avec un faible nombre de pièces externes.
Le dispositif TPS51200 de Texas Instruments est un régulateur de raccordement à double débit de données (DDR) à dissipateur et source spécialement conçu pour les systèmes à faible tension d'entrée, faible coût et faible bruit, où l'espace est un facteur clé. Il maintient une réponse transitoire rapide et nécessite une capacité de sortie minimale de seulement 20 μF. Il prend en charge une fonction de détection à distance et toutes les exigences d'alimentation pour les terminaisons de bus DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 à faible consommation et DDR4 VTT.
Tension d'entrée : prend en charge un rail 2,5 V et un rail 3,3 V.
Plage de tension VLDOIN : 1,1 à 3,5 V.
Le régulateur de raccordement de source et d'évier inclut la compensation de statine
Nécessite une capacité de sortie minimale de 20 μF (généralement 3 x 10-μF MLCC) pour les applications de terminaison de mémoire (DDR)
PGOOD pour surveiller la régulation de sortie
Entrée EN
L'entrée REFIN permet un suivi d'entrée flexible soit directement soit par le biais d'un diviseur de résistance
Détection à distance (VOSNS)
Référence en tampon ±10 mA (REFOUT)
Démarrage progressif, UVLO et OCL intégrés
Shutdown thermique.
Prend en charge DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 faible consommation, Et les applications VTT DDR4
Boîtier VSON 10 broches avec plaque thermique
Plage de tension VLDOIN : 1,1 à 3,5 V.
Le régulateur de raccordement de source et d'évier inclut la compensation de statine
Nécessite une capacité de sortie minimale de 20 μF (généralement 3 x 10-μF MLCC) pour les applications de terminaison de mémoire (DDR)
PGOOD pour surveiller la régulation de sortie
Entrée EN
L'entrée REFIN permet un suivi d'entrée flexible soit directement soit par le biais d'un diviseur de résistance
Détection à distance (VOSNS)
Référence en tampon ±10 mA (REFOUT)
Démarrage progressif, UVLO et OCL intégrés
Shutdown thermique.
Prend en charge DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 faible consommation, Et les applications VTT DDR4
Boîtier VSON 10 broches avec plaque thermique
Solutions de puissance mémoire DDR, Texas Instruments
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de régulateur | Tension à faible chute |
Courant de sortie maximum | |
Tension de sortie | -0,1 → 3,5 V. |
Nombre de sorties | 1 |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | SON |
Nombre de broches | 10 |
Tension de référence | 1.8V |
Type de sortie | Ajustable |
Puissance | 1.92W |
Dimensions | 3 x 3 x 0.9mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Hauteur | 0.9mm |
Tension d'entrée minimale | 2,375 V |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Tension d'entrée maximale | 3,5 V |
Longueur | 3mm |
Largeur | 3mm |