Références fabricant

Relais statique Broadcom ASSR-1218 SPST, En surface, 60 V, 0.2 A, 1.6V

Code commande RS:: 174-4159
Référence fabricant:: ASSR-1218-503E
Marque:: Broadcom

Relais statique Broadcom ASSR-1218 SPST, En surface, 60 V, 0.2 A, 1.6V

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Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	2,41 €	12,05 €
50 - 120	2,056 €	10,28 €
125 - 370	1,624 €	8,12 €
375 - 745	1,554 €	7,77 €
750 +	1,474 €	7,37 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 174-4159
Référence fabricant:: ASSR-1218-503E
Marque:: Broadcom

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Broadcom
	Courant de charge maximal	0.2A
	Type de produit	Relais statique
	Type de montage	En surface
	Tension de charge maximale	60V
	Tension de charge minimale	-60V
	Tension de commande minimale	1.1V
	Tension de commande maximale	1.6V
	Série	ASSR-1218
	Type de terminaison	Bornier pour circuit imprimé
	Configuration de contact	SPST
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Fonction de commutation	Commutation c.a.
	Température d'utilisation maximum	85°C
	Hauteur	2mm
	Longueur	4.4mm
	Normes/homologations	RoHS
	Type de sortie	MOSFET
	Capacitance	0.4pF
	Courant de fuite à l'état bloqué	1μA

	Sélectionner tout
	Marque Broadcom
	Courant de charge maximal 0.2A
	Type de produit Relais statique
	Type de montage En surface
	Tension de charge maximale 60V
	Tension de charge minimale -60V
	Tension de commande minimale 1.1V
	Tension de commande maximale 1.6V
	Série ASSR-1218
	Type de terminaison Bornier pour circuit imprimé
	Configuration de contact SPST
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Fonction de commutation Commutation c.a.
	Température d'utilisation maximum 85°C
	Hauteur 2mm
	Longueur 4.4mm
	Normes/homologations RoHS
	Type de sortie MOSFET
	Capacitance 0.4pF
	Courant de fuite à l'état bloqué 1μA

Datasheet

Récepteur RF Microchip Technology

Le relais statique (MOSFET photo) Broadcom série ASSR-1218, boîtier SO-4 unipolaire à une direction (SPST) à 4 broches est doté d'une puissance nominale électrique de 0,2 A et 60 V. Il se compose d'un étage d'entrée à diode électroluminescente infrarouge (LED) AlGaAs, optiquement couplé à un circuit de détecteur de sortie haute tension. Le détecteur se compose d'un réseau de diodes photovoltaïques haute vitesse et d'un circuit de driver pour mettre en marche/arrêt deux transistors MOSFET haute tension discrets.

Caractéristiques et avantages

Commutateur de signal bidirectionnel compact à semi-conducteurs

• Tension d'isolation d'entrée à sortie élevée

Faible courant d'entrée : compatibilité CMOS

Faible résistance à l'état passant : 0,25 ohm typique pour le courant continu uniquement, 1 ohm typique pour le courant alternatif/continu

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -40 et 85 °C.

• Relais unipolaire à simple direction (1NO) normalement désactivé à canal simple et double

Applications

Commutation de télécommunications

Communications de données

• Commandes industrielles

• Médical

• Sécurité

Remplacement de relais EMR/Reed

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