SDRAM Alliance Memory, 512 Mo Surface 16 bit 95 °C -40 °C 96 broches, FBGA
- Code commande RS:
- 665-381
- Référence fabricant:
- AS4C32M16D3-12BIN
- Marque:
- Alliance Memory
Sous-total (1 unité)*
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 665-381
- Référence fabricant:
- AS4C32M16D3-12BIN
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Taille de la mémoire | 512Mo | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 933MHz | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA | |
| Nombre de broches | 96 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | JEDEC, RoHS | |
| Longueur | 13mm | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.575V | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.425V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Taille de la mémoire 512Mo | ||
Type de produit SDRAM | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 933MHz | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA | ||
Nombre de broches 96 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations JEDEC, RoHS | ||
Longueur 13mm | ||
Tension d'alimentation maximum 1.575V | ||
Standard automobile Non | ||
Tension d'alimentation minimum 1.425V | ||
- Pays d'origine :
- TW
La mémoire DRAM DDR3 Alliance Memory 512 Mo DDR3 est dotée d'une architecture de débit de données double pour un fonctionnement haut débit et est configurée en interne comme une mémoire DRAM à huit banques. Il est organisé sous la forme de 4 Mbits x 16 banques d'E/S x 8 et prend en charge des vitesses de transfert de données à double débit jusqu'à 1 866 Mb/s par broche, ce qui le rend adapté aux applications hautes performances générales. Le dispositif est conforme à toutes les spécifications DDR3 clés, avec toutes les entrées de commande et d'adresse synchronisées à une paire d'horloges différentielles fournies à l'extérieur.
8 banques internes pour un fonctionnement simultané
Architecture préfixe 8 n bits
Architecture interne goudronnée
Précharge et mise hors tension active
Registre de mode programmable et de mode étendu
Le type Burst est séquentiel et Interleave
Contrôle d'impédance de driver de sortie
