Circuit DDR SDRAM, W94AD6KBHX5I/TRAY, 1Gbit, DDR, VFBGA 60 broches DDR

Il s'agit d'une mémoire DDR SDRAM faible consommation de 1 Go organisée en 16 M mots x 4 rangées x 16 bits

Alimentation VDD = 1,7 V∼1,95 V, VDDQ = 1,7 V∼1,95 V
Largeur de données : x16
Type de train d'ondes : séquentielle ou entrelacée, fréquence d'horloge : 166 MHz, 200 MHz
Mode autoactualisation standard
PASR, ATCSR, mode hors tension, DPD
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Latence CAS : 2 et 3
Longueur du train d'ondes : 2, 4, 8 et 16
Plage de température de fonctionnement : étendue (-25 °C∼85 °C), industrielle (-40 °C∼85 °C)
Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur