Transistor commuté par émetteur, FJPF2145TU, NPN 5 A 0.209V TO-220F, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : KR
Détail produit

Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor

Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.

Transistors bipolaires, Fairchild Semiconductor

La grande gamme de transistors bipolaires de jonction (BJT) fournit des solutions complètes pour divers besoins en termes d'application de circuit. Les boîtiers innovants sont conçus pour offrir une taille minimale, une fiabilité très élevée et des performances thermiques maximales.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de transistor NPN
Courant continu de Collecteur maximum 5 A
Tension Collecteur Source maximum 0.209V
Dissipation de puissance maximum 40 W
Gain en courant DC minimum 8
Type de montage Traversant
Type de boîtier TO-220F
Nombre de broche 3
Tension Base Source maximum ±20V
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Courant de base maximum 1.5A
Catégorie Transistor de puissance
Dimensions 10.36 x 4.9 x 16.07mm
Hauteur 16.07mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 4.9mm
Température d'utilisation maximum +125 °C
Longueur 10.36mm
350 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
0,743
HT
0,892
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 +
0,743 €
37,15 €
*Prix donné à titre indicatif
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