Transistor, NPN Simple, 8 A, 60 V c.c., A-220, 3 broches
- Code commande RS:
- 184-4152
- Référence fabricant:
- 2N6043G
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en tube de 50)
0,775 €
HT
0,93 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 50 - 450 | 0,775 € | 38,75 € |
| 500 - 950 | 0,673 € | 33,65 € |
| 1000 + | 0,656 € | 32,80 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 184-4152
- Référence fabricant:
- 2N6043G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Le transistor de puissance bipolaire Darlington NPN 8 A, 100 V est conçu pour les applications d'amplification à usage général et de commutation à basse vitesse. 2N6040, 2N6042 (PNP) et 2N6043, 2N6045 (NPN) sont des appareils complémentaires.
Gain de courant c.c. élevé -hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Tension de maintien Collector-Emitter - @ 100 mAdc -VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6040, 2N6043VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6041, 2N6044VCEO(sus)= 100 Vdc (Min) - 2N6042, 2N6045
Basse tension de saturation Collector-Emitter -VCE(sat) = 2,0 V c.c. (Max) @ IC = 4,0 Adc - 2N6040,41, 2N6043,44VCE(sat)= 2,0 V c.c. (Max) @ IC = 3,0 Adc - 2N6042, 2N6045
Construction monolithique avec résistances de shunt intégrées à l'émetteur de base
Boîtiers sans plomb disponibles
Tension de maintien Collector-Emitter - @ 100 mAdc -VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6040, 2N6043VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6041, 2N6044VCEO(sus)= 100 Vdc (Min) - 2N6042, 2N6045
Basse tension de saturation Collector-Emitter -VCE(sat) = 2,0 V c.c. (Max) @ IC = 4,0 Adc - 2N6040,41, 2N6043,44VCE(sat)= 2,0 V c.c. (Max) @ IC = 3,0 Adc - 2N6042, 2N6045
Construction monolithique avec résistances de shunt intégrées à l'émetteur de base
Boîtiers sans plomb disponibles
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de transistor | NPN |
| Courant continu de Collecteur maximum | 8 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 60 V c.c. |
| Type de boîtier | A-220 |
| Type de montage | Traversant |
| Dissipation de puissance maximum | 75 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Collecteur Base maximum | 60 V c.c. |
| Tension Emetteur Base maximum | 5 V c.c. |
| Fréquence de fonctionnement maximum | 1 MHz |
| Nombre de broches | 3 |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Dimensions | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |