- Code commande RS:
- 186-7897
- Référence fabricant:
- FQB5N90TM
- Marque:
- onsemi
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TTC
Paquet(s) | le paquet | Prix par unité* |
1 - 1 | 11,83 € | 2,366 € |
2 - 19 | 10,02 € | 2,004 € |
20 - 49 | 8,29 € | 1,658 € |
50 - 99 | 7,98 € | 1,596 € |
100 + | 6,68 € | 1,336 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 186-7897
- Référence fabricant:
- FQB5N90TM
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Ce MOSFET d'alimentation en mode d'amélioration N-Channel est produit à l'aide d'une bande planaire propriétaire et de la technologie DMOS. Cette technologie Advanced MOSFET a été spécialement conçue pour réduire la résistance à l'état et pour offrir des performances de commutation supérieures et une forte résistance à l'énergie en avalanche. Ces dispositifs conviennent aux alimentations en mode commuté, à la correction active du facteur de puissance (PFC) et aux ballasts de lampes électroniques.
5.4a, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.7A
Faible charge de la porte ( typ. 31nC)
Faible CRS ( typ. 13pF)
Applications
Eclairage
Faible charge de la porte ( typ. 31nC)
Faible CRS ( typ. 13pF)
Applications
Eclairage
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de boîtier | D2PAK |
Type de montage | CMS |
Dissipation de puissance maximum | 158 W |
Nombre de broches | 2 + Tab |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |