Transistor numérique, SC-70, 6 broches Dual

Ces deux transistors à effet de champ de mode d'amélioration de niveau logique N & P-Channel sont produits à l'aide d'une technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire. Ce processus de très haute densité est particulièrement adapté pour minimiser la résistance à l'état. Ce dispositif a été conçu spécialement pour les applications basse tension comme un remplacement pour les transistors numériques bipolaires et les MOSFETS à petit signal. Comme les résistances de polarisation ne sont pas nécessaires, ce FET numérique double peut remplacer plusieurs transistors numériques différents, avec différentes valeurs de résistance de polarisation.

N-Ch
0,50 A, 25 V
RDS(ON) = 0,45 Ω à VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 0,60 Ω à VGS = 2,7 V.
P-Ch
-0,41 A, -25 V
RDS(ON) = 1,1 Ω à VGS= -4,5 V.
RDS(ON) = 1,5 Ω à VGS= -2,7 V.
Présentation d'un très petit paquet SC70-6.
Exigences d'entraînement de porte très faibles permettant un fonctionnement direct dans les circuits 3 V (VGS(th)< 1,5 V).
Zener Gate-Source pour la robustesse ESD (>modèle corps humain 6 kV).
Applications
Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.