Transistor numérique, PQFN, 8 broches Dual

Ce dispositif comprend deux MOSFET N-Channel spécialisés dans un boîtier PQFN double. Le nœud du commutateur a été connecté en interne pour faciliter le placement et le routage des convertisseurs buck synchrones. Le MOSFET de commande (Q1) et le synchronousSyncFET (Q2) ont été conçus pour fournir une efficacité énergétique optimale.

Q1: Canal N
Max rDS(on) = 5,0 mΩ à VGS = 10 V, ID = 17,5 A.
Max rDS(on) = 5,7 mΩ à VGS = 4,5 V, ID = 16 A.
Q2: Canal N
Max rDS(on) = 1,8 mΩ à VGS = 10 V, ID = 30 A.
Max rDS(on) = 2,2 mΩ à VGS = 4,5 V, ID = 27 A.
Un emballage à faible inductance réduit les temps de montée/descente, entraînant des pertes de commutation plus faibles
L'intégration de MOSFET permet une disposition optimale pour une inductance de circuit inférieur et une sonnerie de nœud de commutateur réduite
Applications
Distribution
Ordinateur PC portable