Transistor numérique onsemi, 50 V NPN, 3 broches Simple Surface
- Code commande RS:
- 186-8604
- Référence fabricant:
- MUN5214T1G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,064 € | 6,40 € |
| 500 - 900 | 0,055 € | 5,50 € |
| 1000 + | 0,048 € | 4,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 186-8604
- Référence fabricant:
- MUN5214T1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Transistor numérique | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 50V | |
| Type de montage | Surface | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Collecteur Base maximale VCBO | 50V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 310mW | |
| Gain en courant DC minimum hFE | 80 | |
| Polarité du transistor | NPN | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | MUN5214 | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Transistor numérique | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 50V | ||
Type de montage Surface | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Collecteur Base maximale VCBO 50V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 310mW | ||
Gain en courant DC minimum hFE 80 | ||
Polarité du transistor NPN | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série MUN5214 | ||
Longueur 2.2mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Cette série de transistors numériques est conçue pour remplacer un dispositif unique et son réseau de biais de résistance externe. Le transistor de résistance bias (BRT) contient un transistor unique avec un biasréseau monolithique composé de deux résistances, une résistance de base série et une résistance d'émetteur de Base. Le BRT élimine ces composants individuels en les intégrant dans un seul périphérique. L'utilisation d'une solution BRTcan réduit à la fois le coût du système et l'espace de la carte.
Simplifie la conception des circuits
Réduit l'espace de la carte
Réduit le nombre de composants
Préfixe S et NSV pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle, compatible PPAP
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR
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