Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches

Grâce à la nouvelle technologie IGBT et SiC SBD à arrêt de champ, la nouvelle série d'IGBT hybrides de ON semiconductor offre des performances optimales pour les applications de commutation difficiles. Le dispositif copaquet un IGBT à base de silicium avec une diode barrière Schottky SiC, ce qui entraîne un excellent compromis entre les performances plus faibles des solutions à base de silicium et le coût plus élevé des solutions entièrement basées sur SiC.

Avec diode barrière Schottky SiC
Très faible perte de récupération inverse
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C
Plus grande fiabilité
Très faibles pertes de commutation et de conduction
Coefficient de température positif
Distribution de paramètres serrée
Applications
Automobile
Industriel, inverseur
Convertisseur CC-CC
PFC, pôle totem sans pont
Commutation dure