Transistor bipolaire faible saturation, PNP, -3 A, -25 V, PowerDI3333-8, 8 broches

Les diodesZetex réalise un transistor NPN à faible saturation. Le boîtier powerDI3333-8 de ce dispositif a un petit facteur de forme thermiquement efficace, ce qui permet des produits finaux de plus haute densité. Le dispositif offre une BVCEO supérieure à -25 V et il est conçu pour des températures supérieures à 175°C, ce qui le rend idéal pour les applications qui ont une température ambiante élevée. Le boîtier est sans plomb, halogène et antimoine. Le dispositif offre également un flanc mouillable pour une inspection optique améliorée.

La tension collecteur-émetteur est de -25 V. Le dispositif a un indice de classification d'inflammabilité UL de 94V-0. Le dispositif a une sensibilité à l'humidité de niveau 3 selon J-STD-020. La finition des bornes est un étain mat recuit sur cuivre