Transistor numérique Toshiba, 100 mA NPN, 50 V, 3 broches, ESM Simple
- Code commande RS:
- 540-6605
- Référence fabricant:
- RN1108(F)
- Marque:
- Toshiba
Temporairement en rupture de stock
- Code commande RS:
- 540-6605
- Référence fabricant:
- RN1108(F)
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | Transistor numérique | |
| Courant continu de Collecteur maximum Idc | 100mA | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 50V | |
| Type de Boitier | ESM | |
| Type de montage | Surface | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Collecteur Base maximale VCBO | 50V | |
| Polarité du transistor | NPN | |
| Fréquence de transition maximale ft | 250MHz | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100mW | |
| Gain en courant DC minimum hFE | 80 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension Emetteur Base maximale VEBO | 7V | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 1.6mm | |
| Série | RN1108 | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 0.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit Transistor numérique | ||
Courant continu de Collecteur maximum Idc 100mA | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 50V | ||
Type de Boitier ESM | ||
Type de montage Surface | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Collecteur Base maximale VCBO 50V | ||
Polarité du transistor NPN | ||
Fréquence de transition maximale ft 250MHz | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100mW | ||
Gain en courant DC minimum hFE 80 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension Emetteur Base maximale VEBO 7V | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 1.6mm | ||
Série RN1108 | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 0.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistor avec résistance intégrée, série BRT, Toshiba
Résistances de polarisation intégrées, utilisation de moins de pièces pour une réduction de la taille du dispositif et un assemblage à gain de place
Large plage de valeurs de résistance pour un produit adapté à diverses applications
Complémentaire avec les produits de RN1101/RN2101 à RN1118/RN2118
Applications : commutation, circuits inverseurs, circuits d'interface, circuits de driver
Boîtier SSM
Transistors numériques, Toshiba
Transistors bipolaires équipés de résistances, également appelés "transistors numériques" ou "transistors à résistance de polarisation", intégrant une ou deux résistances intégrées. Ces dispositifs peuvent être pilotés directement grâce à une résistance d'entrée en série unique ou un séparateur potentiel de deux résistances. Des versions à transistor simple et double sont disponibles.
Nos clients ont également consulté
- Transistor numérique Toshiba 50 V ESM Simple
- Transistor numérique Toshiba -50 V ESM Simple
- Transistor numérique onsemi 3 broches Simple Surface
- Transistor numérique ROHM 3 broches Simple 100 mA Surface
- Transistor Toshiba 50 V USM Simple
- Transistor numérique ROHM 3 broches Surface
- Transistor Toshiba 50 V SOT-346 Simple
- Transistor numérique ROHM 3 broches Emetteur commun Surface
