Transistor numérique Toshiba, 100 mA NPN, 50 V, 3 broches, ESM Simple

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Code commande RS:
540-6605
Référence fabricant:
RN1108(F)
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

Transistor numérique

Courant continu de Collecteur maximum Idc

100mA

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

50V

Type de Boitier

ESM

Type de montage

Surface

Configuration du transistor

Simple

Tension Collecteur Base maximale VCBO

50V

Polarité du transistor

NPN

Fréquence de transition maximale ft

250MHz

Dissipation de puissance maximum Pd

100mW

Gain en courant DC minimum hFE

80

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension Emetteur Base maximale VEBO

7V

Nombre de broches

3

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.6mm

Série

RN1108

Normes/homologations

No

Hauteur

0.7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
JP

Transistor avec résistance intégrée, série BRT, Toshiba


Résistances de polarisation intégrées, utilisation de moins de pièces pour une réduction de la taille du dispositif et un assemblage à gain de place

Large plage de valeurs de résistance pour un produit adapté à diverses applications

Complémentaire avec les produits de RN1101/RN2101 à RN1118/RN2118

Applications : commutation, circuits inverseurs, circuits d'interface, circuits de driver

Boîtier SSM

Transistors numériques, Toshiba


Transistors bipolaires équipés de résistances, également appelés "transistors numériques" ou "transistors à résistance de polarisation", intégrant une ou deux résistances intégrées. Ces dispositifs peuvent être pilotés directement grâce à une résistance d'entrée en série unique ou un séparateur potentiel de deux résistances. Des versions à transistor simple et double sont disponibles.

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