MOSFET N STMicroelectronics 2.2 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV MDmesh II
- Code commande RS:
- 151-423P
- Référence fabricant:
- STL3NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 500 - 990 | 0,954 € |
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- Code commande RS:
- 151-423P
- Référence fabricant:
- STL3NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | MDmesh II | |
| Type de Boitier | PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 22W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série MDmesh II | ||
Type de Boitier PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 22W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics est développé à l'aide de la technologie MDmesh de deuxième génération. Ce MOSFET de puissance révolutionnaire associe une structure verticale à la disposition de la bande de l'entreprise pour produire l'une des résistances les plus basses au monde. Il est donc adapté aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
100 % testé contre les avalanches
Faible capacité d'entrée et charge de grille