MOSFET canal N STMicroelectronics 1.8 A 400 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SuperMESH3
- Code commande RS:
- 151-445P
- Référence fabricant:
- STN3N40K3
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-445P
- Référence fabricant:
- STN3N40K3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | SuperMESH3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série SuperMESH3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Longueur 6.7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est le résultat d'améliorations appliquées à la technologie Super MESH, combinée à une nouvelle structure verticale optimisée. Ce dispositif est doté d'une résistance d'activation extrêmement faible, de performances dynamiques supérieures et d'une capacité d'avalanche élevée, ce qui le rend adapté aux applications les plus exigeantes.
Capacité dv/dt extrêmement élevée
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Caractéristiques de récupération inverse de diode améliorées
Protégé Zener