MOSFET canal Double N STMicroelectronics 400 mA 450 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-447P
- Référence fabricant:
- STS1DNC45
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 151-447P
- Référence fabricant:
- STS1DNC45
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Double N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 400mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 450V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Double N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 400mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 450V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Contour standard pour un assemblage facile et automatisé à montage en surface
Charge de grille minimisée