MOSFET canal Double N STMicroelectronics 0.4 A 450 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-447P
- Référence fabricant:
- STS1DNC45
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total 100 unités (conditionné une bande continue)*
136,80 €
HT
164,20 €
TTC
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En voie de retrait du marché
- 5 930 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 240 | 1,368 € |
| 250 - 490 | 1,27 € |
| 500 - 990 | 1,166 € |
| 1000 + | 1,123 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-447P
- Référence fabricant:
- STS1DNC45
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Double N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 450V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Double N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 450V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Contour standard pour un assemblage facile et automatisé à montage en surface
Charge de grille minimisée