MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-900P
- Référence fabricant:
- STD4NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 500 de plus pour économiser 151,50 €
Consulter les options de prix de grosSous-total 200 unités (conditionné en bobine)*
281,40 €
HT
337,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 340 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 200 - 480 | 1,407 € | - |
| 500 + | 1,104 € | 151,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-900P
- Référence fabricant:
- STD4NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série SuperMESH | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.6mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est un dispositif haute tension avec canal N protégé Zener développé à l'aide de la technologie SuperMESH, une optimisation du PowerMESH bien établi. En plus d'une réduction significative de la résistance sous tension, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé par Zener