MOSFET canal N STMicroelectronics 75 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

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Code commande RS:
151-920P
Référence fabricant:
STB75NF20
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.034Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

84nC

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

50°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

15.85mm

Largeur

10.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics réalisé avec un procédé STripFET unique a été spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Il est donc adapté comme commutateur primaire dans les convertisseurs c.c.-c.c. isolés à haut rendement avancés.

Capacité dv/dt exceptionnelle

100 % testé contre les avalanches

Faible charge de grille

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