MOSFET N STMicroelectronics 9 A 950 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh K5

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Code commande RS:
151-926P
Référence fabricant:
STD6N95K5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

950V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh K5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.25Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.6nC

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.1mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance et une charge de grille ultra-faible pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.

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