MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh II
- Code commande RS:
- 151-952P
- Référence fabricant:
- STD13NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 151-952P
- Référence fabricant:
- STD13NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | MDmesh II | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.36Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série MDmesh II | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.36Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.1mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 6.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics est développé à l'aide de la technologie MDmesh de deuxième génération. Ce MOSFET de puissance révolutionnaire associe une structure verticale à la disposition de la bande de l'entreprise pour produire l'une des résistances et des charges de grille les plus basses au monde. Il est donc adapté aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
100 % testé contre les avalanches
Faible capacité d'entrée et charge de grille
Faible résistance d'entrée de grille