MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 750 V Enrichissement, 7 broches, HU3PAK SCT060HU
- Code commande RS:
- 152-111
- Référence fabricant:
- SCT060HU75G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau en stock, il n'est plus vendu par le fabricant.
- Code commande RS:
- 152-111
- Référence fabricant:
- SCT060HU75G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Série | SCT060HU | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 58mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 18V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 29nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 14.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 19mm | |
| Hauteur | 3.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Série SCT060HU | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 58mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 18V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 29nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 14.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 19mm | ||
Hauteur 3.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Certifié AEC-Q101
Performances de commutation à haute vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 750 V Enrichissement HU3PAK SCT
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 54 A 600 V Enrichissement HU3PAK STHU60 AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 30 V Enrichissement HU3PAK STH AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement HU3PAK Sct AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 30 A 1.2 kV Enrichissement HU3PAK SCT AEC-Q101
- canal N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement HU3PAK STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 51 A 650 V N HU3PAK STHU65 AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 600 V HU3PAK STHU36N AEC-Q101