Références fabricant

MOSFET P DiodesZetex 1.1 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101

Code commande RS:: 155-232
Référence fabricant:: ZXM61P03FTA
Marque:: DiodesZetex

MOSFET P DiodesZetex 1.1 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

9,80 €

11,75 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

21 775 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 125	0,392 €	9,80 €
150 - 725	0,353 €	8,83 €
750 +	0,314 €	7,85 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 155-232
Référence fabricant:: ZXM61P03FTA
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	1.1A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	550mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	806mW
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	4.8nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	-0.95V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.4mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1mm
	Longueur	3.05mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 1.1A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 550mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 806mW
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.8nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf -0.95V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.4mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1mm
	Longueur 3.05mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Transistor MOSFET à canal P, 30 V, Diodes Inc

Transistors MOSFET, Diodes Inc.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.