- Code commande RS:
- 193-616P
- Référence fabricant:
- IXFN140N20P
- Marque:
- IXYS
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (conditionné en tube)
24,24 €
HT
29,09 €
TTC
Unité | Prix par unité |
---|---|
5 + | 24,24 € |
- Code commande RS:
- 193-616P
- Référence fabricant:
- IXFN140N20P
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 115 A |
Tension Drain Source maximum | 200 V |
Série | HiperFET, Polar |
Type de boîtier | SOT-227 |
Type de montage | Montage à visser |
Nombre de broches | 4 |
Résistance Drain Source maximum | 18 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
Dissipation de puissance maximum | 680 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Longueur | 38.23mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Charge de Grille type @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
Matériau du transistor | Si |
Largeur | 25.42mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 9.6mm |